[发明专利]一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法有效
| 申请号： | 201910347751.3 | 申请日： | 2019-04-28 |
| 公开（公告）号： | CN110060928B | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | 于涛;曹秀亮 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 屈蘅 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明涉及一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有金属层间介电质层，在所述金属层间介电质层内形成有独立的金属结构；刻蚀所述金属层间介电质层，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，且所述金属结构上方对应的所述金属层间介电质层的高度，低于所述半导体衬底上所述金属结构以外的位置处对应的所述金属层间介电质层的高度；对所述金属层间介电质层进行平坦化处理。本发明通过增加刻蚀金属层间介电质层的步骤，使金属层间介电质层的上表面形成高度差，在后续的平坦化处理步骤中，研磨的应力主要集中在金属结构以外的位置处，有效减小了金属结构所受应力，从而改善金属挤压缺陷。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 平坦 化工 金属 挤压 缺陷 方法 | ||
【主权项】：
1.一种改善平坦化工艺中金属挤压缺陷的方法，其特征在于，包括如下步骤：提供半导体衬底，在所述半导体衬底上形成有金属层间介电质层，在所述金属层间介电质层内形成有独立的金属结构；刻蚀所述金属层间介电质层，使所述金属层间介电质层的上表面形成高度差，且所述金属结构上方对应的所述金属层间介电质层的高度，低于所述半导体衬底上所述金属结构以外的位置处对应的所述金属层间介电质层的高度；对所述金属层间介电质层进行平坦化处理。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910347751.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：半导体结构的制备方法
- 下一篇：一种MoSe2面内同质p-n结的制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
