[发明专利]一种硅片缺陷的检测方法及装置在审
| 申请号： | 201910344467.0 | 申请日： | 2019-04-26 |
| 公开（公告）号： | CN110018279A | 公开（公告）日： | 2019-07-16 |
| 发明（设计）人： | 张婉婉;文英熙;柳清超;郭恺辰 | 申请（专利权）人： | 西安奕斯伟硅片技术有限公司 |
| 主分类号： | G01N33/00 | 分类号： | G01N33/00;G01N21/88;G01N21/95 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 许静;刘伟 |
| 地址： | 710065 陕西省西安市*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | 本发明实施例提供了一种硅片缺陷的检测方法及装置，硅片缺陷的检测方法包括：将具有预设形状的待检测子零件进行金属污染处理，其中所述待检测子零件为部分的待检测零件；对多个待检测子零件进行热处理，所述多个待检测子零件属于不同的待检测零件；根据每个待检测子零件的处理结果，确定每个待检测子零件的缺陷。通过该硅片缺陷的检测方法可以同时对多片待检测子零件进行热处理，大大节省了前处理时间，提升缺陷分析的效率，可以简单快速地分析硅片中的缺陷分布，以便更好地控制和避免产品不良。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 硅片 待检测零件 热处理 金属污染 缺陷分布 缺陷分析 预设形状 前处理 多片 分析 | ||
【主权项】：
1.一种硅片缺陷的检测方法，其特征在于，所述方法包括：将具有预设形状的待检测子零件进行金属污染处理，其中所述待检测子零件为部分的待检测零件；对多个待检测子零件进行热处理，所述多个待检测子零件属于不同的待检测零件；根据每个待检测子零件的处理结果，确定每个待检测子零件的缺陷。
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