[发明专利]半导体元件在审
| 申请号： | 201910313720.6 | 申请日： | 2019-04-18 |
| 公开（公告）号： | CN110783397A | 公开（公告）日： | 2020-02-11 |
| 发明（设计）人： | 陈敏璋;易圣涵;吕承轩 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/78 |
| 代理公司： | 11006 北京律诚同业知识产权代理有限公司 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 一种半导体元件，其包括基板、第一含锆氧化物层、第一金属氧化物层及顶电极。第一含锆氧化物层位于基板上方且具有铁电性或反铁电性。第一金属氧化物层与第一含锆氧化物层接触。第一金属氧化物层的厚度小于第一含锆氧化物层的厚度。顶电极位于第一含锆氧化物层上方。 | ||
| 搜索关键词： | 含锆氧化物 金属氧化物层 顶电极 基板 半导体元件 反铁电 铁电性 | ||
【主权项】：
1.一种半导体元件，其特征在于，包含：/n一基板；/n一第一含锆氧化物层，位于一基板上方且具有铁电性或反铁电性；/n一第一金属氧化物层，接触该第一含锆氧化物层，该第一金属氧化物层的一厚度小于该第一含锆氧化物层的一厚度；以及/n一顶电极，位于该第一含锆氧化物层上方。/n
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