[发明专利]一种过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和用途在审
| 申请号： | 201910289200.6 | 申请日： | 2019-04-11 |
| 公开（公告）号： | CN109824098A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 谢黎明;赵朝阳;王新胜;周芮 | 申请（专利权）人： | 国家纳米科学中心 |
| 主分类号： | C01G55/00 | 分类号： | C01G55/00;C01B19/04;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 巩克栋 |
| 地址： | 100190 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种过渡金属硫族化合物薄膜及其制备方法和用途，所述过渡金属为铂族金属，包括钌、铑、钯、锇、铱或铂中任意一种，所述过渡金属硫族化合物中硫族元素包括硫、硒或碲中任意一种；所述方法包括：在保护性气体氛围中，分别加热铂族金属源和硫族元素源，发生化学气相沉积反应，在基底上生长得到过渡金属硫族化合物薄膜。本发明以铂族金属源为原料，采用化学气相沉积法，实现了大面积二维铂族金属硫族化合物薄膜的连续可控生长，所得薄膜材料表面平整，具有优异的电学、光学性能，在纳米电子器件领域应用前景广阔。 | ||
| 搜索关键词： | 过渡金属硫族化合物 铂族金属 薄膜 化学气相沉积 硫族元素 制备 薄膜材料表面 纳米电子器件 保护性气体 硫族化合物 光学性能 过渡金属 可控生长 领域应用 电学 二维 基底 加热 平整 生长 | ||
【主权项】：
1.一种过渡金属硫族化合物薄膜的制备方法，其特征在于，所述过渡金属硫族化合物中过渡金属为铂族金属，包括钌、铑、钯、锇、铱或铂中任意一种，所述过渡金属硫族化合物中硫族元素包括硫、硒或碲中任意一种；所述方法包括：在保护性气体氛围中，分别加热铂族金属源和硫族元素源，发生化学气相沉积反应，在基底上生长得到过渡金属硫族化合物薄膜。
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