[发明专利]一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构有效
| 申请号： | 201910245936.3 | 申请日： | 2019-03-28 |
| 公开（公告）号： | CN110111827B | 公开（公告）日： | 2021-04-30 |
| 发明（设计）人： | 蒋宇;沈灵;严慧婕;李志芳;温建新;段杰斌 | 申请（专利权）人： | 上海集成电路研发中心有限公司 |
| 主分类号： | G11C13/00 | 分类号： | G11C13/00 |
| 代理公司： | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人： | 吴世华;马盼 |
| 地址： | 201210 上*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构，包括存储器单元和控制MOS管，所述存储器单元包括3个首尾连接的阻变存储器簇，且相邻两个阻变存储器簇之间形成一个节点，从而形成存储器单元的3个节点，三个节点分别连接该多值阻变结构的两个控制端口和控制MOS管的漏极，所述控制MOS管的源极连接该多值阻变结构的一个读写端口，所述控制MOS管的栅极连接该多值阻变结构的选择导通信号。本发明提供的一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构，最大化的减小了MOS管的数量，从而减少了多值阻变结构的面积。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 多个单值阻变 存储器 多值阻变 结构 | ||
【主权项】：
1.一种基于多个单值阻变存储器的多值阻变结构，其特征在于，包括存储器单元和控制MOS管，所述存储器单元包括3个首尾连接的阻变存储器簇，且相邻两个阻变存储器簇之间形成一个节点，从而形成存储器单元的3个节点，三个节点分别连接该多值阻变结构的两个控制端口和控制MOS管的漏极，所述控制MOS管的源极连接该多值阻变结构的读写端口，所述控制MOS管的栅极连接该多值阻变结构的选择导通信号。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海集成电路研发中心有限公司，未经上海集成电路研发中心有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910245936.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
