[发明专利]一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201910188032.1 | 申请日： | 2019-03-13 |
| 公开（公告）号： | CN109841738A | 公开（公告）日： | 2019-06-04 |
| 发明（设计）人： | 黄江;董怀远;何磊;侯思辉 | 申请（专利权）人： | 电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L51/42 | 分类号： | H01L51/42;H01L51/46;H01L51/48 |
| 代理公司： | 成都弘毅天承知识产权代理有限公司 51230 | 代理人： | 白桂林 |
| 地址： | 611731 四川省成*** | 国省代码： | 四川;51 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开了一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池及其制备方法。该太阳能电池依次包括衬底、第一电极层、功能层、第二电极层，其特征在于：所述功能层包括第一有机体异质结层和第二有机体异质结层，并在第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间插入钙钛矿修饰层，所述第一有机体异质结层靠近第一电极层，第二有机体异质结层靠近第二电极层。本发明通过将钙钛矿能级修饰层引入双体异质结有机太阳能电池中，有效的解决了传统双体异质结有机太阳能电池开路电压较低的问题，提升电池效率，简化了制备工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 有机体 异质结层 有机太阳能电池 钙钛矿 修饰层 异质结 双体 能级 第二电极 第一电极 功能层 制备 太阳能电池 电池效率 开路电压 制备工艺 衬底 引入 | ||
【主权项】：
1.一种具有钙钛矿能级修饰层的双体异质结有机太阳能电池，由下至上依次包括衬底、第一电极层、功能层、第二电极层，其特征在于：所述功能层包括第一有机体异质结层和第二有机体异质结层，并在第一有机体异质结层与第二有机体异质结层之间插入钙钛矿修饰层，所述第一有机体异质结层靠近第一电极层，第二有机体异质结层靠近第二电极层；所述钙钛矿能级修饰层由化学式为ABM3的典型卤素钙钛矿材料、化学式为ABM1xM23‑x(0＜X＜3)的卤素替代固溶体钙钛矿材料、化学式为A1xA21‑xBM(0＜X＜1)的一价阳离子替代的钙钛矿材料、化学式为AB1xB21‑xM(0＜X＜1)的金属替代固溶体钙钛矿材料、二维钙钛矿材料中的一种或多种制成；其中，A、A1、A2为一价非配位阳离子；B、B1、B2为二价P区金属离子；M、M1、M2为与金属配位的卤素阴离子。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于电子科技大学，未经电子科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201910188032.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
