[发明专利]静电吸盘及其制造方法在审
| 申请号： | 201910097987.6 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN111508883A | 公开（公告）日： | 2020-08-07 |
| 发明（设计）人： | 王盈傑;赵正航;黄秉愷 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/683 | 分类号： | H01L21/683 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 一种静电吸盘及其制造方法，静电吸盘包含导电主体、数个绝缘套管、以及绝缘层。导电主体具有至少一通道以及数个第一开孔设于导电主体中。每个第一开孔具有第一开口位于导电主体的一表面中、以及第二开口与上述至少一通道连接。绝缘套管对应设于第一开孔中，其中每个绝缘套管具有第二开孔，且每个绝缘套管自对应的第一开孔的第一开口朝对应的第一开孔的第二开口延伸。绝缘层覆盖导电主体的表面与绝缘套管。 | ||
| 搜索关键词： | 静电 吸盘 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
