[发明专利]发光二极管外延片及其生长方法有效
| 申请号： | 201910097795.5 | 申请日： | 2019-01-31 |
| 公开（公告）号： | CN109950375B | 公开（公告）日： | 2021-04-02 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;胡加辉;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（浙江）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/12 | 分类号： | H01L33/12;H01L33/14;H01L33/06;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 徐立 |
| 地址： | 322000 浙江省*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种发光二极管外延片及其生长方法，属于半导体技术领域。外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，N型半导体层包括依次层叠的多个叠层结构，叠层结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；第一子层的材料、第二子层的材料和第三子层的材料均采用掺杂硅的氮化镓，多个叠层结构的第一子层中硅的掺杂浓度、多个叠层结构的第二子层中硅的掺杂浓度、多个叠层结构的第三子层中硅的掺杂浓度均沿多个叠层结构的层叠方向逐层降低；同一个叠层结构中，第一子层中硅的掺杂浓度大于第三子层中硅的掺杂浓度，第三子层中硅的掺杂浓度大于第二子层中硅的掺杂浓度。本发明可提高LED的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 及其 生长 方法 | ||
【主权项】：
1.一种发光二极管外延片，所述发光二极管外延片包括衬底、缓冲层、N型半导体层、有源层和P型半导体层，所述缓冲层、所述N型半导体层、所述有源层和所述P型半导体层依次层叠在所述衬底上；其特征在于，所述N型半导体层包括依次层叠的多个叠层结构，所述叠层结构包括依次层叠的第一子层、第二子层和第三子层；所述第一子层的材料、所述第二子层的材料和所述第三子层的材料均采用掺杂硅的氮化镓，所述多个叠层结构的第一子层中硅的掺杂浓度、所述多个叠层结构的第二子层中硅的掺杂浓度、所述多个叠层结构的第三子层中硅的掺杂浓度均沿所述多个叠层结构的层叠方向逐层降低；同一个所述叠层结构中，所述第一子层中硅的掺杂浓度大于所述第三子层中硅的掺杂浓度，所述第三子层中硅的掺杂浓度大于所述第二子层中硅的掺杂浓度。
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