[发明专利]一种自支撑锗薄膜的制备方法及锗薄膜有效
| 申请号： | 201910088551.0 | 申请日： | 2019-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN109920723B | 公开（公告）日： | 2020-11-24 |
| 发明（设计）人： | 崔积适 | 申请（专利权）人： | 三明学院 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02 |
| 代理公司： | 厦门智慧呈睿知识产权代理事务所(普通合伙) 35222 | 代理人： | 杨玉芳 |
| 地址： | 365000 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种自支撑锗薄膜的制备方法，包括：提供硅衬底；对所述硅衬底进行电化学刻蚀，使得所述硅衬底上生成均匀的、致密的纳米多孔洞，获得纳米多孔硅衬底；在所述纳米多孔硅衬底上淀积一层锗薄膜；对所述纳米多孔硅上外延锗薄膜后进行高温退火，在锗硅异质结界面处空洞发生串并；将所述锗薄膜从所述纳米多孔硅衬底上剥离下来。本发明实施例提供了一种自支撑锗薄膜的制备方法，制备工艺简单可行，且有效的降低了制作锗薄膜的成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 支撑 薄膜 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种自支撑锗薄膜的制备方法，其特征在于，包括：提供硅衬底；对所述硅衬底进行电化学刻蚀，使得所述硅衬底上生成均匀的、致密的纳米多孔洞，获得纳米多孔硅衬底；在所述纳米多孔硅衬底上淀积一层锗薄膜；对所述纳米多孔硅上外延锗薄膜后进行高温退火，在锗硅异质结界面处空洞发生串并；将所述锗薄膜从所述纳米多孔硅衬底上剥离下来。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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