[发明专利]一种减少晶圆厚度的方法在审
| 申请号： | 201910071611.8 | 申请日： | 2019-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN111482849A | 公开（公告）日： | 2020-08-04 |
| 发明（设计）人： | 周晓刚 | 申请（专利权）人： | 东莞新科技术研究开发有限公司 |
| 主分类号： | B24B1/00 | 分类号： | B24B1/00;B24B49/00;B24B37/04;H01L21/02 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 郝传鑫 |
| 地址： | 523087 *** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种减少晶圆厚度的方法，包括以下步骤：(1)提供待减薄的半导体晶圆；(2)在砂轮转速3000～5000rmp下，对所述晶圆进行粗磨；(3)在砂轮转速3000～5000rmp下，对所述粗磨后的晶圆进行精磨，所述精磨的砂轮转速大于所述粗磨的砂轮转速；(4)对精磨后的晶圆进行湿法蚀刻，湿法蚀刻液为硝酸、氢氟酸、冰乙酸组成的混合酸液，混合酸液刻蚀的温度为‑10～‑15℃。本发明方法在研磨阶段，先进行粗磨然后进行精磨，并且精磨的砂轮转速大于粗磨的砂轮转速，在精磨后可以减少晶圆的内应力，并且使得精磨的切割边光滑平整，本发明的方法得到的减薄厚度的晶圆的崩裂率低，晶圆光滑，晶圆的应力小。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 减少 厚度 方法 | ||
【主权项】：
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