[发明专利]RC-IGBT器件及其制造方法在审
| 申请号： | 201910034228.5 | 申请日： | 2019-01-15 |
| 公开（公告）号： | CN109830531A | 公开（公告）日： | 2019-05-31 |
| 发明（设计）人： | 潘嘉;杨继业;邢军军;张须坤 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/08;H01L21/331 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 焦天雷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种RC‑IGBT器件，该RC‑IGBT正面形成该器件各功能区，该RC‑IGBT背面形成的集电区呈矩阵排布，RC‑IGBT背面还设有促使IGBT进入电导调制状态的引导区，引导区所处位置不存在集电区。本发明还公开了一种RC‑IGBT器件制造方法。本发明在RC‑IGBT器件的N集电区版图设计加入了引导区结构，能引导IGBT尽快进入IGBT电导调制状态，能消除RC‑IGBT通态压降的snapback现象，对RC‑IGBT性能有较大提升。 | ||
| 搜索关键词： | 集电区 引导区 电导调制 背面 版图设计 矩阵排布 所处位置 通态压降 功能区 制造 | ||
【主权项】：
1.一种RC‑IGBT器件，该RC‑IGBT正面形成该器件各功能区，其特征在于：该RC‑IGBT背面形成的集电区呈矩阵排布，RC‑IGBT背面还设有促使IGBT进入电导调制状态的引导区，引导区所处位置不存在集电区。
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