[发明专利]一种高发光效率的氮化物发光二极管有效
| 申请号： | 201910033337.5 | 申请日： | 2019-01-14 |
| 公开（公告）号： | CN109755362B | 公开（公告）日： | 2021-10-01 |
| 发明（设计）人： | 顾伟 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/10;H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种高发光效率的氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、有源层、电子阻挡层和p型氮化物层；其中：所述有源层是由若干个阱层和垒层交替堆叠而形成的多量子阱结构，所述若干个为大于2的正整数。本发明的优点在于：通过将氮化物发光二极管有源层的垒层依照不同Si掺杂浓度，分为第一垒层、第二垒层和第三垒层，在第一垒层使用较低的Si掺杂以得到低的晶体表面粗糙度，实现对阱层的平整覆盖，在第二垒层使用适中的Si掺杂以兼具高晶体质量和低电阻值，而在第三垒层使用较高的Si掺杂以得到较多的应力释放，实现氮化物发光二极管的低操作电压和高发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发光 效率 氮化物 发光二极管 | ||
【主权项】：
1.一种高发光效率的氮化物发光二极管，包括衬底，以及依次位于衬底上的缓冲层、非掺杂氮化物层、n型氮化物层、有源层、电子阻挡层和p型氮化物层；其特征在于：所述有源层是由若干个阱层和垒层交替堆叠而形成的多量子阱结构，所述若干个为大于2的正整数，所述垒层包括有第一垒层、第二垒层和第三垒层，所述第一垒层的厚度为0.5~3nm、Si掺杂浓度为小于1E17 cm‑3，所述第二垒层的厚度为3~14nm、Si掺杂浓度为介于1E17~1E18 cm‑3，所述第三垒层的厚度为0.5~3nm、Si掺杂浓度为大于1E18 cm‑3。
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