[发明专利]一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC-LIGBT器件有效
申请号: | 201910023563.5 | 申请日: | 2019-01-10 |
公开(公告)号: | CN109742090B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 陈伟中;李顺;黄义;贺利军;秦窈 | 申请(专利权)人: | 重庆邮电大学 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L29/06;H01L29/08 |
代理公司: | 北京同恒源知识产权代理有限公司 11275 | 代理人: | 赵荣之 |
地址: | 400065 *** | 国省代码: | 重庆;50 |
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摘要: | 本发明公开了一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC‑LIGBT器件,包括左右两边呈对称结构且共用一个发射极的LDMOS有源区以及LIGBT有源区;LDMOS有源区沟道受栅极Ⅰ控制,LIGBT有源区沟道受栅极Ⅱ控制,金属集电极Ⅰ与金属集电极Ⅱ相连。具有以下优点:在正向导通时消除snapback效应;由于LDMOS区中集电极N‑Collector的存在,在反向导通时使其具有反向导通能力,由于无集电极P‑Collector对电流的阻挡作用,复合型RC‑LIGBT的反向导通能力优于传统RC‑LIGBT。本发明的复合型RC‑LIGBT工艺与传统RC‑LIGT工艺兼容,只需要版图设计,无需额外工艺。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 ldmos ligbt 复合型 rc 器件 | ||
【主权项】:
1.一种集成LDMOS和LIGBT的复合型RC‑LIGBT器件,其特征在于,所述复合型RC‑LIGBT器件包括左边的LDMOS有源区以及右边的LIGBT有源区,左右两边呈对称结构。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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