[发明专利]中空二氧化硅颗粒的制造方法有效
| 申请号： | 201880083744.0 | 申请日： | 2018-12-25 |
| 公开（公告）号： | CN111566047B | 公开（公告）日： | 2023-07-25 |
| 发明（设计）人： | 神谷广幸;金贤枝;松原俊哉 | 申请（专利权）人： | AGC株式会社;AGC硅素技术株式会社 |
| 主分类号： | C01B33/18 | 分类号： | C01B33/18;C01B33/187 |
| 代理公司： | 北京林达刘知识产权代理事务所(普通合伙) 11277 | 代理人： | 刘新宇;李茂家 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 课题在于，提供一种具有致密的二氧化硅壳层的中空二氧化硅颗粒。一种中空二氧化硅颗粒的制造方法，其中，将包含水相、油相、及表面活性剂的水包油型乳液的pH设为3.0以下，在该水包油型乳液中添加第1二氧化硅原料，在碱金属离子存在下，在添加有第1二氧化硅原料的乳液中以乳液的pH为8以上的方式添加第2二氧化硅原料，得到中空二氧化硅前体分散液，由中空二氧化硅前体分散液得到中空二氧化硅前体，然后由中空二氧化硅前体得到中空二氧化硅颗粒。 | ||
| 搜索关键词： | 中空 二氧化硅 颗粒 制造 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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