[发明专利]集成电路的构造及DRAM的构造有效
| 申请号： | 201880064116.8 | 申请日： | 2018-10-11 |
| 公开（公告）号： | CN111183519B | 公开（公告）日： | 2023-09-12 |
| 发明（设计）人： | 幸和芳;田代隆庆 | 申请（专利权）人： | 美光科技公司 |
| 主分类号： | H10B12/00 | 分类号： | H10B12/00;H01L27/07;H01L23/485 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 王龙 |
| 地址： | 美国爱*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 一种集成电路的构造包括一结构，所述结构包括其上具有绝缘材料的导电材料。所述导电材料及所述绝缘材料在垂直横截面中分别具有相对侧。第一绝缘材料在所述垂直横截面中在所述导电材料的所述相对侧的横向外部。第二绝缘材料在所述垂直横截面中在所述第一绝缘材料的横向外部。所述第二绝缘材料的成分与所述第一绝缘材料的成分不同。所述第二绝缘材料在所述垂直横截面中横向覆盖所述绝缘材料的所述相对侧的下部分。所述第二绝缘材料在所述垂直横截面中未横向覆盖所述绝缘材料的所述相对侧的上部分。第三绝缘材料在所述垂直横截面中在所述第二绝缘材料的横向外部。所述第三绝缘材料的成分与所述第二绝缘材料的成分不同。所述第三绝缘材料在所述垂直横截面中横向覆盖所述绝缘材料的所述相对侧的所述下部分及所述上部分。 | ||
| 搜索关键词： | 集成电路 构造 dram | ||
【主权项】：
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