[发明专利]用于形成竖向延伸的晶体管的阵列的方法

摘要

一种用于形成竖向延伸的晶体管的阵列的方法包括形成绝缘材料和空隙空间的竖直交替的层。此类方法包含形成(a)竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的个体纵向对准的沟道开口，以及(b)竖向地延伸穿过所述绝缘材料层的水平延长的沟槽。所述空隙空间层填充有导电材料，方法是使所述导电材料或其一或多个前体流动穿过(a)和(b)中的至少一个进入到所述空隙空间层中。在所述填充之后，晶体管沟道材料沿着所述绝缘材料层并且在所述填充的空隙空间层中沿着所述导电材料形成在所述个体沟道开口中。