[发明专利]结合物理及化学蚀刻图案化磁穿隧接面在审
| 申请号： | 201880032228.5 | 申请日： | 2018-05-11 |
| 公开（公告）号： | CN110945673A | 公开（公告）日： | 2020-03-31 |
| 发明（设计）人： | 沈冬娜;王郁仁;童儒颖;维格纳许·桑达;沙希·帕特尔 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12 |
| 代理公司： | 隆天知识产权代理有限公司 72003 | 代理人： | 张福根;付文川 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 揭露磁穿隧接面(MTJ)纳米柱(la)的形成制程，使其具有最少侧壁残留物与损伤，其中先于硬掩模(15)中形成图案，硬掩模为磁穿隧接面层的最上层。之后，通过剩余的磁穿隧接面层蚀刻转移硬掩模侧壁(20)，剩余的磁穿隧接面层包括自由层(14)与参考层(12)间的穿隧阻障(13)。蚀刻可于单一反应离子蚀刻步骤(32m)中完成，其以具有物理成分与化学成分为特色，其中物理成分包括惰性气体离子与或电浆，而化学成分包括离子或电浆，产自于以下其一或多者：甲醇、乙醇、氨与一氧化碳。或者，在图案化磁穿隧接面堆叠后可接着进行使用前述化学物质的化学处理(33)与挥发步骤(34v)，图案化步骤使用了包括惰性气体离子(32i)的离子束蚀刻或反应离子蚀刻。 | ||
| 搜索关键词： | 结合 物理 化学 蚀刻 图案 化磁穿隧接面 | ||
【主权项】：
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