[发明专利]化合物半导体及它的制造方法在审
| 申请号： | 201880004429.4 | 申请日： | 2018-09-14 |
| 公开（公告）号： | CN110366612A | 公开（公告）日： | 2019-10-22 |
| 发明（设计）人： | 山田浩平;村上幸司;井谷贤哉 | 申请（专利权）人： | JX金属株式会社 |
| 主分类号： | C30B29/48 | 分类号： | C30B29/48;C30B11/02;C30B33/02;H01L31/0296 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | 本发明提供一种碲化锌镉(CdZnTe)单晶、及它的有效制造方法，该碲化锌镉(CdZnTe)单晶具有面积为100mm2以上、且移动率寿命乘积(μτ乘积)成为1.0×10‑3cm2/V以上的区域为整体的50％以上即在宽范围成为高μτ乘积的主面。 | ||
| 搜索关键词： | 碲化锌镉 单晶 化合物半导体 有效制造方法 主面 移动 制造 | ||
【主权项】：
1.一种碲化锌镉(CdZnTe)单晶，其具有面积为100mm2以上、且移动率寿命乘积(μτ乘积)成为1.0×10‑3cm2/V以上的区域为整体的50％以上的主面。
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