[发明专利]忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM在审
| 申请号： | 201880000463.4 | 申请日： | 2018-03-16 |
| 公开（公告）号： | CN110546778A | 公开（公告）日： | 2019-12-06 |
| 发明（设计）人： | 姚国峰;沈健 | 申请（专利权）人： | 深圳市汇顶科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L45/00 | 分类号： | H01L45/00 |
| 代理公司： | 11329 北京龙双利达知识产权代理有限公司 | 代理人： | 孙涛;毛威<国际申请>=PCT/CN20 |
| 地址： | 518045 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 暂无信息 | 说明书： | 暂无信息 |
| 摘要： | 本申请实施例提供了一种忆阻器的制造方法、忆阻器和阻变式随机存取存储器RRAM，该忆阻器的制造方法包括：沉积所述忆阻器的下电极；在沿所述忆阻器的下电极的沉积方向的截面制备所述忆阻器的电阻层；在所述忆阻器的电阻层上制备所述忆阻器的上电极。 | ||
| 搜索关键词： | 忆阻器 电阻层 下电极 制备 随机存取存储器 沉积方向 电极 沉积 制造 申请 | ||
【主权项】：
PCT国内申请，权利要求书已公开。/n
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