[实用新型]焊接机用快恢复二极管有效
| 申请号： | 201822258466.8 | 申请日： | 2018-12-29 |
| 公开（公告）号： | CN209169151U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 徐蓓;尹妍 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及焊接机用快恢复二极管，衬底为低掺杂的N型第一磊晶矽晶圆层和低掺杂的N型第二磊晶矽晶圆层复合而成的双层磊晶矽晶圆层，其中第一磊晶矽晶圆层体积电阻率ρ1=5Ω·㎝，厚度15μm；第二磊晶矽晶圆层体积电阻率ρ1=20Ω·㎝，厚度25μm；低掺杂的N型双层磊晶矽晶圆层衬底上设有高掺杂P型磊晶基区，形成PN结。本实用新型的快恢复二极管采用磊晶矽晶圆层材质的复合衬底，结合两个环形结构，形成的二极管结构正向电流大、反向恢复时间短，开关特性好，适用于焊接机。 | ||
| 搜索关键词： | 磊晶 晶圆 快恢复二极管 低掺杂 焊接机 衬底 本实用新型 体积电阻率 二极管结构 复合 反向恢复 环形结构 开关特性 正向电流 高掺杂 基区 | ||
【主权项】：
1.一种焊接机用快恢复二极管，其特征在于，衬底为低掺杂的N型第一磊晶矽晶圆层和低掺杂的N型第二磊晶矽晶圆层复合而成的双层磊晶矽晶圆层，其中第一磊晶矽晶圆层体积电阻率ρ1=5Ω·㎝，厚度15μm；第二磊晶矽晶圆层体积电阻率ρ1=20Ω·㎝，厚度25μm；低掺杂的N型双层磊晶矽晶圆层衬底上设有高掺杂P型磊晶基区，形成PN结。
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