[实用新型]一种HBT器件有效
| 申请号： | 201822240136.6 | 申请日： | 2018-12-28 |
| 公开（公告）号： | CN209169150U | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 高怀;常颖;毕谈;蔡士琦;丁杰 | 申请（专利权）人： | 苏州英诺迅科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/737 | 分类号： | H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 215123 江苏省苏州市苏州工*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种能够改善器件自热效应的HBT器件。该结构是在传统HBT器件结构的基础上，对次集电区采用浓度渐变的方式进行掺杂。具体包括：发射区、基区、集电区的工艺不变，从而保证基本的电特性不变，而重掺杂的次集电区其掺杂浓度采用渐变增加的方式实现，以集电区掺杂浓度为基准，从上往下依次增加至最大掺杂浓度。相比于现有技术，本实用新型提供的HBT器件在大电流偏置状态下，集电结耗尽区更容易向次集电区延伸，从而使得电场峰值更低，进而有效减小热源的产生，从根本上解决所有HBT射频电路热效应严重的问题，具有重要的现实意义。 | ||
| 搜索关键词： | 集电区 掺杂 本实用新型 渐变 热效应 电场 偏置状态 射频电路 现实意义 自热效应 大电流 电特性 发射区 耗尽区 集电结 重掺杂 热源 基区 减小 延伸 保证 | ||
【主权项】：
1.一种HBT器件，其特征在于，包括：衬底；位于衬底表面的次集电区；其中，所述次集电区的掺杂浓度沿从所述次集电区背向所述衬底一侧指向所述次集电区朝向所述衬底一侧的厚度方向逐渐升高；位于所述次集电区背向所述衬底一侧表面的集电区；位于所述集电区背向所述衬底一侧表面的基区；位于所述基区背向所述衬底一侧表面的发射区。
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