[实用新型]一种大电流直流防反电路有效

专利信息
申请号: 201822228704.0 申请日: 2018-12-28
公开(公告)号: CN209072069U 公开(公告)日: 2019-07-05
发明(设计)人: 程毅;刘海前;王磊 申请(专利权)人: 武汉科德斯汽车电子股份有限公司
主分类号: H02H11/00 分类号: H02H11/00
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 434300 湖北省武汉市东湖新技术开发区理工园四*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型公开了一种大电流直流防反电路,属于电子电路技术领域,包括二极管D1、D2、D3、N型MOS管Q1、NPN型三极管Q2、电容C1和电容Cboot,本实用新型中采用的防反电路发热小、暗电流小且静态功耗低,适用于大电流电路。
搜索关键词: 防反电路 本实用新型 大电流 电容 电子电路技术 大电流电路 二极管 静态功耗 暗电流 发热
【主权项】:
1.一种大电流直流防反电路,其特征在于:包括二极管D1、D2、D3、N型MOS管 Q1、NPN型三极管Q2、电容C1和电容Cboot,其中所述Q1的S极与外部电源正极相连接,Q1的漏极与后级系统相连接;所述Q2的E极连接到MOS管Q1的S极,Q2的C极连接到MOS管Q1的G极,Q2的基极与所述二极管D1的阴极连接;所述二极管D1的阳极连接到系统地;所述电容C1的一端连接到MOS管Q1的S极,电容C1的另一端连接到MOS管Q1的G极;所述二极管D2的阳极连接到MOS管Q1的S极,二极管D2的阴极连接到D3的阳极,D3的阴极连接到MOS管Q1的G极;所述电容Cboot的一端连接到D2的阴极,Cboot的另一端为PWM信号输入端。
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