[实用新型]扇出型晶圆级封装结构有效
申请号: | 201822031402.4 | 申请日: | 2018-12-05 |
公开(公告)号: | CN209216923U | 公开(公告)日: | 2019-08-06 |
发明(设计)人: | 范增焰;吕开敏;全昌镐 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | H01L21/60 | 分类号: | H01L21/60;H01L21/56;H01L23/488;H01L23/482;H01L23/29;H01L23/31;H01L25/065 |
代理公司: | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人: | 于宝庆;崔香丹 |
地址: | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 提供一种扇出型晶圆级封装结构,包括:裸片、预固化层、重布线层、多个球形接脚以及固化层。裸片具有接脚;预固化层覆盖并包覆裸片,并且裸片的接脚一侧暴露出预固化层表面;重布线层形成于所述裸片的接脚暴露出的一侧,重布线层包括钝化层和金属层;多个球形接脚形成于所述重布线层上,球形接脚通过金属层与裸片的接脚电连接;固化层形成于预固化层远离重布线层的一侧,固化层覆盖所述预固化层;固化层与预固化层具有不同的热膨胀系数,固化层与裸片具有相同的热膨胀系数。本实用新型的封装结构通过在预固化层上多加一层固化层,减小了在扇出型晶圆级封装工艺中过程中晶圆的翘曲,减小了后续工艺难度,同时也减小了切割后的封装结构的翘曲。 | ||
搜索关键词: | 预固化层 接脚 裸片 固化层 重布线层 扇出型 减小 晶圆级封装结构 热膨胀系数 封装结构 金属层 翘曲 本实用新型 晶圆级封装 后续工艺 电连接 钝化层 暴露 包覆 覆盖 晶圆 切割 | ||
【主权项】:
1.一种扇出型晶圆级封装结构,其特征在于,包括:裸片,所述裸片具有接脚;预固化层,所述预固化层覆盖并包覆所述裸片,并且所述裸片的所述接脚一侧暴露出所述预固化层表面;重布线层,所述重布线层形成于所述裸片的接脚暴露出的一侧,所述重布线层包括钝化层和金属层;多个球形接脚,形成于所述重布线层上,所述球形接脚通过所述金属层与所述裸片的所述接脚电连接;以及固化层,所述固化层形成于预固化层远离所述重布线层的一侧上,所述固化层覆盖所述预固化层;所述固化层与所述预固化层具有不同的热膨胀系数,且所述固化层与所述裸片具有相同的热膨胀系数。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造