[实用新型]一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构有效
| 申请号： | 201821921880.6 | 申请日： | 2018-11-21 |
| 公开（公告）号： | CN209045601U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 武良文 | 申请（专利权）人： | 江西兆驰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/32 | 分类号： | H01L33/32 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 330000 江西省南昌市南昌高新技*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构，包括衬底、氧化镓牺牲层、保护层、氮化镓基外延功能层；其中：所述氧化镓牺牲层介于衬底与氮化镓基外延功能层之间,所述氧化镓牺牲层上设置有一个在高氮氢比载气环境下生长的保护层。本实用新型的优点在于：采用氧化镓（Ga2O3）作为化学剥离的牺牲层，一方面氧化镓与氮化镓材料的晶格失配度较低，在氧化镓上可以成长出高品质的氮化镓基LED外延结构,另一方面氧化镓和弱酸容易发生反应而被去除（而氮化镓不会和弱酸发生反应），所以在一种有氧化镓牺牲层的氮化镓基LED外延结构中,可以利用弱酸溶液去除氧化镓牺牲层,完成衬底与氮化镓基LED外延结构层的剥离。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化镓 牺牲层 氮化镓基LED 衬底 外延结构 化学剥离 氮化镓基外延 本实用新型 保护层 功能层 去除 弱酸 氮化镓材料 晶格失配度 外延结构层 弱酸溶液 氮化镓 高品质 高氮 载气 剥离 生长 | ||
【主权项】：
1.一种适用于衬底化学剥离的氮化镓基LED外延结构，包括衬底、氧化镓牺牲层、保护层、氮化镓基外延功能层；其特征在于：所述氧化镓牺牲层介于衬底与氮化镓基外延功能层之间,所述氧化镓牺牲层上设置有一个在高氮氢比载气环境下生长的保护层。
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