[实用新型]双光掩膜有效
申请号: | 201821625084.8 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN208737212U | 公开(公告)日: | 2019-04-12 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 长鑫存储技术有限公司 |
主分类号: | G03F1/42 | 分类号: | G03F1/42;G03F7/20 |
代理公司: | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人: | 余明伟 |
地址: | 230601 安徽省合肥市合肥*** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型提供一种双光掩膜,双光掩膜包括第一光掩膜和第二光掩膜,在第一光掩膜和第二光掩膜上均形成有不透光区、多个对准图形及图形尺寸区域。采用上述双光掩膜得到的曝光有效图形尺寸大于26x33mm,并且可以解决双光掩膜曝光形成的多个曝光有效图形上下或左右组合时的对准问题,在前后层叠对时可以解决前后层光掩膜曝光之间的对准问题,从而使得产品得到良好的左右密合以及前后层对准。 | ||
搜索关键词: | 光掩膜 双光 掩膜 曝光 对准 有效图形 本实用新型 不透光区 尺寸区域 对准图形 对时 密合 | ||
【主权项】:
1.一种双光掩膜,其特征在于,所述双光掩膜包括第一光掩膜和第二光掩膜,所述第一光掩膜包括:第一不透光区;第一部分图形形状;及多个对准图形;所述第二光掩膜包括:第二不透光区;第二部分图形形状;及多个对准图形;其中,所述第一部分图形形状和所述第二部分图形形状对扣形成一个完整的图形形状;所述第一不透光区位于所述第一光掩膜上与所述第二光掩膜相近的一侧;所述第二不透光区位于所述第二光掩膜上与所述第一光掩膜相近的一侧。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司,未经长鑫存储技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201821625084.8/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:相移掩膜版及相移掩模光刻设备
- 下一篇:一种光刻掩膜版
- 同类专利
- 专利分类
G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备