[实用新型]基片处理装置有效
申请号: | 201821591124.1 | 申请日: | 2018-09-28 |
公开(公告)号: | CN208970482U | 公开(公告)日: | 2019-06-11 |
发明(设计)人: | 稻富弘朗;中村彻;木本晃司;青山义尚 | 申请(专利权)人: | 东京毅力科创株式会社 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人: | 龙淳 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 日本;JP |
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摘要: | 本实用新型提供一种基片处理装置,其包括运送区块和多个处理区块。运送区块配置有用于运送基片的运送装置。多个处理区块与运送区块相邻配置,处理由运送装置运送的基片。另外,各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件。液处理组件进行在基片的上表面形成液膜的液膜形成处理。干燥组件进行超临界干燥处理,超临界干燥处理通过使液膜形成处理后的基片与超临界状态的处理流体接触,使液膜形成处理后的基片干燥。而且,同一个处理区块包含的液处理组件和干燥组件相对于运送区块的运送装置的移动方向配置在相同侧。本实用新型能够最优化包含液处理和超临界干燥处理的一系列基片处理。 | ||
搜索关键词: | 区块 运送 液处理 液膜 超临界干燥 干燥组件 运送装置 基片处理装置 本实用新型 移动方向配置 超临界状态 处理流体 基片处理 基片干燥 区块配置 相邻配置 上表面 最优化 | ||
【主权项】:
1.一种基片处理装置,其特征在于,包括:运送区块,其配置有用于运送基片的运送装置;和多个处理区块,其与所述运送区块相邻配置,处理由所述运送装置运送的基片,各处理区块包含一个液处理组件和一个干燥组件,所述液处理组件进行在所述基片的上表面形成液膜的液膜形成处理,所述干燥组件进行超临界干燥处理,所述超临界干燥处理通过使所述液膜形成处理后的基片与超临界状态的处理流体接触,使所述液膜形成处理后的基片干燥,同一个所述处理区块包含的所述液处理组件和所述干燥组件,相对于所述运送区块的所述运送装置的移动方向配置在相同侧。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造