[实用新型]一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件有效
| 申请号： | 201821457617.6 | 申请日： | 2018-09-06 |
| 公开（公告）号： | CN208835067U | 公开（公告）日： | 2019-05-07 |
| 发明（设计）人： | 张猛;梁令荣;黄俊 | 申请（专利权）人： | 伯恩半导体（深圳）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518000 广东*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件，包括P+sub区域，P+sub区域上由内向外依次设置有P+扩区区域、N+扩区区域、N‑Epi区域、P+环区域、trench1区域和trench2区域；其中trench1区域采用SiO2填充作隔离使用，trench2区域采用多晶填充作电连接使用。本实用新型设计合理，利用深槽互连实现了纵向泄放，表面互连的SCR器件，该器件电容相对于CMOS结构器件具有更低电容特性，而且由于是单元包结构，器件更容易集成实现多路保护。 | ||
| 搜索关键词： | 本实用新型 防护器件 互连 残压 填充 多路保护 器件电容 依次设置 由内向外 包结构 低电容 电连接 多晶 深槽 泄放 隔离 | ||
【主权项】：
1.一种双trench结构的低残压ESD浪涌防护器件，其特征在于：包括P+sub区域，P+sub区域上由内向外依次设置有P+扩区区域、N+扩区区域、N‑Epi区域、P+环区域、trench1区域和trench2区域；其中trench1区域采用SiO2填充作隔离使用，trench2区域采用多晶填充作电连接使用。
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