[实用新型]一种SCR结构的低残压保护器件

摘要

本实用新型公开了一种SCR结构的低残压保护器件，包括第一晶闸管和第二晶闸管；所述第一晶闸管的阳极P+区与第二晶闸管的阴极N+区短路合并集成，所述第一晶闸管的阴极N+区与第二晶闸管的阳极P+区短路合并集成。本实用新型提供的新型SCR结构的低残压浪涌保护器件，此器件不仅具有ESD和浪涌保护能力，而且还可实现低电容、低残压的特性，并且通过结构改进后同样浪涌能力水平下器件成本更有竞争力。通过将THY1的阳极P+区与THY2的阴极短路合并集成，大幅降低了器件的面积，而且两个方向共用电流泄放通道，面积得到有效利用。采用高浓度衬底材料，有效降低器件的通态阻抗，从而实现器件的低残压效果。

主权项

1.一种SCR结构的低残压保护器件，其特征在于：包括第一晶闸管和第二晶闸管；所述第一晶闸管的阳极与第二晶闸管的阴极短路连接；所述第一晶闸管的阴极与第二晶闸管的阳极短路连接；所述第一晶闸管的阳极P+区与第二晶闸管的阴极N+区短路合并集成，所述第一晶闸管的阴极N+区与第二晶闸管的阳极P+区短路合并集成；所述第一晶闸管和第二晶闸管分别包括N+衬底、第一P型基区、第二P型基区、隔离区N+IOS、P+环、N+阴极短路孔；所述第一P型基区和第二P型基区分别平行设置于N+衬底的两侧；所述隔离区N+IOS分别设置于第一P型基区及第二P型基区外侧的两端；所述P+环分别设置于第一P型基区及第二P型基区与隔离区N+IOS之间；所述N+阴极短路孔均匀间隔平行设置于第一P型基区及第二P型基区的外侧。