[实用新型]一种高速数据接口ESD保护器件

摘要

本实用新型公开了一种高速数据接口ESD保护器件，包括封装框架、芯片电路板和介质层；所述封装框架与芯片电路板之间设置介质层；所述介质层设置非导电胶装片。介质层为CVD淀积二氧化硅层。介质层的厚度为0.5～1um。本实用新型提供的高速数据接口ESD保护器件，通过在芯片背面设置CVD淀积的二氧化硅层和非导电胶层；二氧化硅层的背面贴绝缘膜或非导电胶层，在芯片与封装框架之间既设置有二氧化硅，又有非导电胶层，增加了芯片衬底与封装框架之间的介电常数，从而降低了寄生电容。通过降低IO‑GND的寄生电容，间接为IO‑IO留出更大电容空间；实现了IO‑IO、IO‑GND更低电容，可使改产品满足更广的应用领域。

主权项

1.一种高速数据接口ESD保护器件，其特征在于：包括电容、Pin支路和稳压二极管；所述稳压二极管的阳极与电容串联；所述Pin支路并联于稳压二极管的两端；所述稳压二极管包括封装框架、芯片电路板和介质层；所述封装框架与芯片电路板之间设置介质层；所述介质层设置非导电胶层。