[实用新型]偏振态可调谐的太赫兹波发射器有效
| 申请号： | 201821439779.7 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN209044226U | 公开（公告）日： | 2019-06-28 |
| 发明（设计）人： | 吴晓君;聂天晓;肖猛;孔德胤 | 申请（专利权）人： | 北京航空航天大学 |
| 主分类号： | G02F1/09 | 分类号： | G02F1/09 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 王莹;吴欢燕 |
| 地址： | 100083*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本实用新型实施例提供了一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器，通过在铁磁纳米薄膜周围设置第一电磁铁和第二电磁铁，使铁磁纳米薄膜处于两个磁场方向相互垂直的磁场内，当泵浦激光入射至铁磁纳米薄膜后，铁磁纳米薄膜所处的磁场分布不同，可以产生不同偏振态的太赫兹波，实现对产生的太赫兹波的偏振态的调节和控制，进而可实现超宽带线偏振太赫兹发射器、超宽带圆偏振太赫兹发生器以及超宽带椭圆偏振太赫兹发生器，不仅可实现弱场磁控偏振态的太赫兹波发射器，而且还可以实现强场磁控偏振态的太赫兹波发射器。 | ||
| 搜索关键词： | 太赫兹波 偏振态 发射器 纳米薄膜 铁磁 超宽带 电磁铁 太赫兹发生器 可调谐 磁控 太赫兹发射器 本实用新型 泵浦激光 磁场方向 磁场分布 椭圆偏振 垂直的 线偏振 圆偏振 强场 入射 弱场 磁场 | ||
【主权项】：
1.一种偏振态可调谐的太赫兹波发射器，其特征在于，包括：铁磁纳米薄膜、第一电磁铁和第二电磁铁；所述第一电磁铁和所述第二电磁铁均固定于所述铁磁纳米薄膜所处的平面内，所述第一电磁铁和所述第二电磁铁产生的磁场方向相互垂直；所述铁磁纳米薄膜处于所述第一电磁铁产生的第一磁场内，且处于所述第二电磁铁产生的第二磁场内；泵浦激光透过所述铁磁纳米薄膜，产生基于所述第一电磁铁和所述第二电磁铁调谐偏振态的太赫兹波。
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