[实用新型]金属互连结构有效
| 申请号： | 201821434280.7 | 申请日： | 2018-09-03 |
| 公开（公告）号： | CN208655633U | 公开（公告）日： | 2019-03-26 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/538 | 分类号： | H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 智云 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种金属互连结构。金属互连结构中的金属扩散阻挡层是通过第一金属的自发扩散而形成的，有利于降低金属扩散阻挡层的制备难度，并且还能够有效避免籽晶层中出现活化能较高的界面金属，进而可缓解高活化能的界面金属穿过金属扩散阻挡层的现象。 | ||
| 搜索关键词： | 金属扩散阻挡层 金属互连结构 界面金属 活化能 本实用新型 籽晶层 制备 穿过 金属 扩散 缓解 | ||
【主权项】：
1.一种金属互连结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底包括一层间介质层，所述层间介质层中形成有至少一个互连沟槽；籽晶层，覆盖所述互连沟槽的底壁和侧壁；以及，金属扩散阻挡层，形成在籽晶层和所述层间介质层之间，并且所述金属扩散阻挡层的材质包括第一金属，所述籽晶层的材质包括第二金属。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长鑫存储技术有限公司，未经长鑫存储技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201821434280.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：集成电路存储器
- 下一篇：一种芯片紧密封装结构
