[实用新型]带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件

摘要

本实用新型功率器件技术领域，尤其涉及一种带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件，包括N+型衬底、N‑型外延层、P型柱深槽结构、P型体区、P+有源区、N+有源区、栅极氧化层、多晶硅栅极、介质层和源极金属。该器件采用侧墙栅结构，侧墙栅位于沟槽氧化层的侧立面上，沟槽氧化层位于P型柱深槽结构正上方，P型柱深槽结构位于N‑外延层内，该结构既保留了深槽超结MOSFET器件横向耗尽快、耐压高的特点，又具有侧墙栅屏蔽JFET电阻的特点，进而提高了超结MOSFET器件的功率密度，并且同时减小了多晶硅与栅极氧化层的接触面积，减小Qg栅电荷，进而减小了开关损耗，提高了开关频率。

主权项

1.一种带侧墙栅结构的深槽超结MOSFET器件，其特征在于：包括N+型衬底；所述N+型衬底上表面形成有N‑型外延层；所述N‑型外延层内部中部形成有多个P型柱深槽结构，所述P型柱深槽结构包括柱形深槽结构和位于柱形深槽结构内的P型多晶硅，所述P型柱深槽结构的方向为自N‑型外延层顶部向下，相邻的P型柱深槽结构之间相分离；所述N‑型外延层内部上部形成有多个侧墙栅结构，每个侧墙栅结构位于P形柱深槽结构的上方且相邻的侧墙栅结构之间相分离，所述侧墙栅结构包括沟槽结构和N型多晶硅栅极，所述沟槽结构的内表面形成有栅极氧化层，所述N型多晶硅栅极位于沟槽结构内且N型多晶硅栅极中部断开，形成多晶硅侧墙结构；所述N‑型外延层内部上部形成有P型体区，所述P型体区位于相邻的侧墙栅结构之间，所述P型体区的结深不超过侧墙栅结构的底部，所述P型体区的顶部沿水平方向依次形成有N+有源区、P+有源区、N+有源区；所述侧墙栅结构、N+有源区、P+有源区的上方形成有金属层，所述金属层与侧墙栅结构之间形成有介质层，所述金属层与N+有源区、P+有源区连接，形成源极金属。