[实用新型]离子注入后晶圆温度检测装置有效
| 申请号： | 201821417447.9 | 申请日： | 2018-08-31 |
| 公开（公告）号： | CN208998937U | 公开（公告）日： | 2019-06-18 |
| 发明（设计）人： | 蔡坤;范荣伟;王恺;倪棋梁;龙吟;陈宏璘;郭浩 | 申请（专利权）人： | 上海华力集成电路制造有限公司 |
| 主分类号： | G01J5/00 | 分类号： | G01J5/00;G01J5/02;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本申请涉及一种离子注入后晶圆温度检测装置，涉及半导体集成电路制造技术，包括腔体结构，所述腔体结构包括腔体侧壁、腔体底部及腔体顶部组成的腔体壁；承载结构，位于所述腔体底部上用于承载晶圆；加热装置，位于所述腔体壁上，用于对所述晶圆进行加热；以及，红外辐射温度检测仪，位于所述腔体壁上，用于检测所述晶圆的温度，以精确检测晶圆温度，进而提高产品的良率。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 腔体壁 温度检测装置 腔体结构 腔体 离子 半导体集成电路制造 温度检测仪 承载结构 红外辐射 加热装置 腔体侧壁 腔体顶部 检测 良率 加热 承载 申请 | ||
【主权项】：
1.一种离子注入后晶圆温度检测装置，其特征在于，包括腔体结构，所述腔体结构包括腔体侧壁、腔体底部及腔体顶部组成的腔体壁；承载结构，位于所述腔体底部上用于承载晶圆；加热装置，位于所述腔体壁上，用于对所述晶圆进行加热；以及，红外辐射温度检测仪，位于所述腔体壁上，用于检测所述晶圆的温度。
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