[实用新型]有源区阵列及半导体器件有效

专利信息
申请号: 201821414569.2 申请日: 2018-08-30
公开(公告)号: CN208923132U 公开(公告)日: 2019-05-31
发明(设计)人: 不公告发明人 申请(专利权)人: 长鑫存储技术有限公司
主分类号: H01L27/105 分类号: H01L27/105;H01L21/8239
代理公司: 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 代理人: 智云
地址: 230000 安徽省合肥市*** 国省代码: 安徽;34
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摘要: 实用新型提供了一种有源区阵列及半导体器件。有源区阵列可基于间距倍增工艺自对准形成多个有源延伸线,并且两两相邻的两条有源延伸线成对设置以构成一有源延伸线对组,有源延伸线对组中位于其中一条有源延伸线中的多个有源区与位于另一条有源延伸线中的多个有源区一一相对设置。如此,不仅可以实现有源区尺寸远小于光刻工艺的最小特征尺寸,并且可使有源区阵列中有源区的排布密集度呈多倍增加。
搜索关键词: 源区 延伸线 半导体器件 本实用新型 成对设置 光刻工艺 相对设置 最小特征 密集度 自对准 排布 倍增
【主权项】:
1.一种有源区阵列,其特征在于,包括多个有源区,所述有源区沿着第一方向延伸,并且沿着所述第一方向对齐排布多个所述有源区构成一有源延伸线,所述有源区阵列中的多个所述有源延伸线沿着第二方向依次排布,并且两两相邻的两条所述有源延伸线成对设置以构成一有源延伸线对组,所述有源延伸线对组中,位于其中一条有源延伸线中的多个有源区与位于另一条有源延伸线中的多个有源区一一相对设置。
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