[实用新型]键合晶圆拆片装置有效
| 申请号： | 201821314927.2 | 申请日： | 2018-08-15 |
| 公开（公告）号： | CN208738182U | 公开（公告）日： | 2019-04-12 |
| 发明（设计）人： | 韩斌;辛君;林宗贤;吴龙江 | 申请（专利权）人： | 德淮半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 余明伟 |
| 地址： | 223300 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供了一种键合晶圆拆片装置，包括：底部真空吸盘和顶部真空吸附装置。本实用新型通过使用真空吸附固定晶圆，通过真空吸附拆分两枚键合晶圆，减少了拆片过程对晶圆边缘的机械应力。本实用新型还引入了气体喷射装置，在拆片过程中采用气体喷射装置吹扫两枚键合晶圆边缘的键合面，进一步降低了晶圆裂片的风险。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆 键合 本实用新型 气体喷射装置 晶圆边缘 片装置 真空吸附固定 真空吸附装置 机械应力 真空吸附 真空吸盘 键合面 吹扫 裂片 引入 | ||
【主权项】：
1.一种键合晶圆拆片装置，用于将键合的底部晶圆及顶部晶圆拆分分离，其特征在于，包括：支撑并真空吸附所述底部晶圆的底部真空吸盘，位于所述底部晶圆的下方；真空吸附所述顶部晶圆的顶部真空吸附装置，所述底部晶圆与所述顶部晶圆拆分分离时，所述顶部真空吸附装置位于所述顶部晶圆的上方，且吸附所述顶部晶圆远离所述底部晶圆的表面。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
