[实用新型]组合掩膜版有效
| 申请号： | 201821269953.8 | 申请日： | 2018-08-08 |
| 公开（公告）号： | CN208521130U | 公开（公告）日： | 2019-02-19 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | G03F1/00 | 分类号： | G03F1/00 |
| 代理公司： | 上海市锦天城律师事务所 31273 | 代理人： | 何金花 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种组合掩膜版，该组合掩膜版包括第一子掩膜版和第二子掩膜版，第一子掩膜版上形成有第一光掩膜图形，第二子掩膜版上形成有第二光掩膜图形，第一光掩膜图形和第二光掩膜图形具有重迭在同一曝光区域内的交互插排图形。本实用新型将复杂的掩膜图形分解为两个简单的子掩膜图形，在一个刻蚀制程中转印至基底上，简化了刻蚀工艺并提高了套刻精度。 | ||
| 搜索关键词： | 光掩膜图形 掩膜版 组合掩膜 掩膜图形 本实用新型 刻蚀工艺 曝光区域 插排 基底 刻蚀 套刻 制程 重迭 分解 | ||
【主权项】：
1.一种组合掩膜版，其特征在于，包括第一子掩膜版和第二子掩膜版，所述第一子掩膜版上形成有第一光掩膜图形，所述第二子掩膜版上形成有第二光掩膜图形，所述第一光掩膜图形和所述第二光掩膜图形具有重迭在同一曝光区域内的交互插排图形。
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G03 摄影术；电影术；利用了光波以外其他波的类似技术；电记录术；全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺，例如，印刷工艺、半导体器件的加工工艺；其所用材料；其所用原版；其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版，例如掩膜，光掩膜；其所用空白掩膜或其所用薄膜；其专门适用于此的容器；其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如通过电子束；其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜，例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM]；PSM空白；其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜；其制备，例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜，例如用于校准或测试的特殊涂层或标记；其制备
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