[实用新型]芯片结构以及电子设备有效
申请号: | 201821144159.0 | 申请日: | 2018-07-18 |
公开(公告)号: | CN208767294U | 公开(公告)日: | 2019-04-19 |
发明(设计)人: | 易泓历 | 申请(专利权)人: | 北京比特大陆科技有限公司 |
主分类号: | H01L23/498 | 分类号: | H01L23/498;H01L21/48 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 王洵 |
地址: | 100192 北京*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型实施例公开了一种芯片结构以及电子设备,该芯片包括晶元(DIE)和电路基板,电路基板包括第一焊盘(VSS)、第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM),其特征在于,所述晶元(DIE)布置在第一焊盘(VSS)上,晶元(DIE)在第一焊盘(VSS)的映射面在第一焊盘(VSS)边框内。相比于现有技术,在本实用新型实施例中,晶元(DIE)布置在第一焊盘(VSS)上,晶元(DIE)在第一焊盘(VSS)的映射面在第一焊盘(VSS)边框内,晶元(DIE)不会横跨2个或者多个Pad上,不会造成晶元(DIE)在封装过程中受力不均,因而不会产生芯片裂片损失,保证了芯片生产的良率。 | ||
搜索关键词: | 焊盘 晶元 边框 本实用新型 电路基板 电子设备 芯片结构 映射 芯片 封装过程 受力不均 芯片生产 良率 裂片 横跨 保证 | ||
【主权项】:
1.一种芯片结构,该芯片包括晶元(DIE)和电路基板,电路基板包括第一焊盘(VSS)、第二焊盘(VDDS)和第三焊盘(VDDM),其特征在于,所述晶元(DIE)布置在第一焊盘(VSS)上,晶元(DIE)在第一焊盘(VSS)的映射面在第一焊盘(VSS)边框内。
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