[实用新型]一种叉指背接触异质结单晶硅电池

摘要

本实用新型公开了一种叉指背接触异质结单晶硅电池，包括：一N型单晶硅基体，N型单晶硅基体具有相对的一正面和一背面；设于N型单晶硅基体正面的掺杂N⁺层和正面N型非晶硅层；间隔设于N型单晶硅基体背面的P型非晶硅层和背面N型非晶硅层。本实用新型的叉指背接触异质结单晶硅电池，减薄常规背接触异质结N型单晶硅电池正面N型非晶硅层的厚度，并在非晶硅氧合金层下设置轻掺杂的N⁺层，既可减少N型非晶硅层的光吸收、光损失，又可利用N⁺层实现部分场钝化功能，提高了电池的光电转换效率；同时N⁺层还可提供光生载流子的横向低阻导电通道，从而降低串联电阻损耗，提高电池的短路电流、填充因子和转换效率。

主权项

1.一种叉指背接触异质结单晶硅电池，其特征在于，包括：一N型单晶硅基体(1)，所述N型单晶硅基体(1)具有相对的一正面和一背面；设于所述N型单晶硅基体(1)正面的掺杂N+层(2)和正面N型非晶硅层(4)；间隔设于所述N型单晶硅基体(1)背面的P型非晶硅层(7)和背面N型非晶硅层(8)。