[实用新型]一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路

摘要

本实用新型公开了一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路，包括ARM微处理器，所述ARM微处理器的11脚连接电阻RM10的一端，电阻RM10的另一端连接MOS管Q2的栅极，MOS管Q2的漏极连接变压器T2的一个输入端，变压器T2的一个输出端连接电阻RM80的一端和电阻RM82的一端，电阻RM80的另一端连接二极管DM20的正极，二极管DM20的负极连接三极管VM30的发射极、二极管ZM6的负极、电阻RM68的一端和电阻RM69的一端，电阻RM82的另一端连接三极管VM30的基极；利用ARM微处理器和低压大电流的MOS管Q1和MOS管Q2，具有较高的可控度和较高的可靠性；具有脉宽频率可调的优点，且调节无死区，具有较高的驱动能力。

主权项

1.一种利用微处理器加分离元件的半桥驱动电路，其特征在于，包括ARM微处理器，所述ARM微处理器的11脚连接电阻RM10的一端，所述电阻RM10的另一端连接MOS管Q2的栅极，所述MOS管Q2的漏极连接变压器T2的一个输入端，所述变压器T2的一个输出端连接电阻RM80的一端和电阻RM82的一端，所述电阻RM80的另一端连接二极管DM20的正极，所述二极管DM20的负极连接三极管VM30的发射极、二极管ZM6的负极、电阻RM68的一端和电阻RM69的一端，所述的电阻RM82的另一端连接三极管VM30的基极，所述三极管VM30的集电极连接变压器T2的另一个输出端、二极管ZM6的正极和电阻RM69的另一端；所述ARM微处理器的12脚连接电阻RM11的一端，所述电阻RM11的另一端连接MOS管Q1的栅极，所述MOS管Q1的漏极连接变压器T1的一个输入端，所述变压器T1的一个输出端连接电阻RM49的一端和电阻RM50的一端，所述电阻RM49的另一端连接二极管DM4的正极，所述二极管DM4的负极连接三极管VM1的发射极、二极管ZM1的负极、电阻RM67的一端和电阻RM66的一端，所述的电阻RM50的另一端连接三极管VM1的基极，所述三极管VM1的集电极连接变压器T1的另一个输出端、二极管ZM1的正极和电阻RM66的另一端；所述ARM微处理器的16脚接VCC电源。