[实用新型]湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置有效
| 申请号： | 201820576495.6 | 申请日： | 2018-04-23 |
| 公开（公告）号： | CN208127159U | 公开（公告）日： | 2018-11-20 |
| 发明（设计）人： | 蒋新;刘礼勇;魏凯;施利君 | 申请（专利权）人： | 苏州晶洲装备科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L31/18 |
| 代理公司： | 苏州根号专利代理事务所(普通合伙) 32276 | 代理人： | 项丽 |
| 地址： | 215555 江苏省苏州*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，它包括水槽，所述水槽具有承托面和开口；晶体硅花篮，所述晶体硅花篮置放于所述水槽中的所述承托面上，所述晶体硅花篮的长度方向上并列设置有多个用于插置晶体硅的插置槽，每个所述插置槽中可同时插入两片相叠的晶体硅；超声波组件，所述超声波组件用于驱动所述水槽中的水朝向所述晶体硅花篮流动进入双层晶体硅之间以分离晶体硅，所述超声波组件包括超声波发生器和与所述超声波发生器连接的至少一个超声波换能器。超声波换能器驱动水槽中的水朝向晶体硅花篮流动，水进入双层叠合的晶体硅之间使得晶体硅分离，能使晶体硅柔性分离，碎片率低。 | ||
| 搜索关键词： | 晶体硅 水槽 花篮 超声波组件 双层叠合 超声波发生器 超声波换能器 湿法分离装置 插置槽 湿制程 本实用新型 并列设置 分离晶体 驱动 承托面 碎片率 插置 承托 流动 相叠 置放 开口 | ||
【主权项】：
1.湿制程晶体硅双层叠合湿法分离装置，其特征在于，它包括：水槽（1），所述水槽（1）具有承托面（11）和开口（12）；晶体硅花篮（2），所述晶体硅花篮（2）置放于所述水槽（1）中的所述承托面（11）上，所述晶体硅花篮（2）的长度方向上并列设置有多个用于插置晶体硅（3）的插置槽（21），每个所述插置槽（21）中可同时插入两片相叠的晶体硅；超声波组件（4），所述超声波组件（4）用于驱动所述水槽（1）中的水朝向所述晶体硅花篮（2）流动进入双层晶体硅（3）之间以分离晶体硅（3），所述超声波组件（4）包括超声波发生器（42）和与所述超声波发生器（42）连接的至少一个超声波换能器（41）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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