[实用新型]一种氮化物发光二极管结构有效
| 申请号： | 201820323961.X | 申请日： | 2018-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN208315587U | 公开（公告）日： | 2019-01-01 |
| 发明（设计）人： | 刘军林;莫春兰;张建立;王小兰;郑畅达;全知觉;江风益 | 申请（专利权）人： | 南昌大学;南昌黄绿照明有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/06 | 分类号： | H01L33/06;H01L33/32;H01L33/12;H01L33/14 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 赵艾亮 |
| 地址： | 330027 江西省*** | 国省代码： | 江西;36 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。本实用新型通过减薄靠近P型层一侧的量子垒厚度，从而可有效减缓靠近P型层一侧发光阱的“量子限制斯塔克效应”，提升LED的内量子效率。 | ||
| 搜索关键词： | 多量子阱层 量子垒 氮化物发光二极管 本实用新型 缓冲层 量子阱 衬底 内量子效率 量子限制 发光阱 减薄 | ||
【主权项】：
1.一种氮化物发光二极管结构，包括衬底，在衬底上设有缓冲层，在缓冲层上依次设有N型层、准备层、第一多量子阱层、第二多量子阱层、P型电子阻挡层和P型层，其特征在于：所述第一多量子阱层包括第一多量子阱层的量子阱和第一多量子阱层的量子垒；所述第二多量子阱层包括第二多量子阱层的量子阱和第二多量子阱层的量子垒；所述第一多量子阱层的量子垒的厚度大于第二多量子阱层的量子垒的厚度。
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