[实用新型]一种有机光电倍增探测器有效
| 申请号： | 201820128920.5 | 申请日： | 2018-01-25 |
| 公开（公告）号： | CN208078030U | 公开（公告）日： | 2018-11-09 |
| 发明（设计）人： | 董春梅 | 申请（专利权）人： | 南京古藤星电子科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L51/44 | 分类号： | H01L51/44;H01L51/46;H01L27/144 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 210008 江苏省南京市江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型属于光电探测技术领域，具体为一种有机光电倍增探测器，包括基底(1)，其特征在于：所述的基底(1)上设置有光电倍增层（2），所述的光电倍增层（2）为双层复合结构，包括第一光电倍增层（201）和第二光电倍增层（202），所述的第一光电倍增层（201）为TPBI，第一光电倍增层（201）厚度为2‑5 nm，所述的第二光电倍增层（202）设置在第一光电倍增层（201）之上，第二光电倍增层（202）为MoO3，第二光电倍增层（202）的厚度为5 nm，所述的光电倍增层（2）上设置光吸收层（3），所述的光吸收层（3）上设置有阴极缓冲层（4），所述的阴极缓冲层（4）上设置反射电极层（5）。 | ||
| 搜索关键词： | 倍增层 阴极缓冲层 光吸收层 探测器 基底 倍增 双层复合结构 本实用新型 反射电极层 光电探测 | ||
【主权项】：
1.一种有机光电倍增探测器，包括基底(1)，其特征在于：所述的基底(1)上设置有光电倍增层（2），所述的光电倍增层（2）为双层复合结构，包括第一光电倍增层（201）和第二光电倍增层（202），所述的第一光电倍增层（201）为TPBI，第一光电倍增层（201）厚度为2‑5 nm，所述的第二光电倍增层（202）设置在第一光电倍增层（201）之上，第二光电倍增层（202）为MoO3，第二光电倍增层（202）的厚度为5 nm，所述的光电倍增层（2）上设置光吸收层（3），所述的光吸收层（3）上设置有阴极缓冲层（4），所述的阴极缓冲层（4）上设置反射电极层（5）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
H01L51-05 .专门适用于整流、放大、振荡或切换且并具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的；具有至少一个电位跃变势垒或表面势垒的电容器或电阻器
H01L51-42 .专门适用于感应红外线辐射、光、较短波长的电磁辐射或微粒辐射；专门适用于将这些辐射能转换为电能，或者适用于通过这样的辐射进行电能的控制
H01L51-50 .专门适用于光发射的，如有机发光二极管
H01L51-52 ..器件的零部件
H01L51-54 .. 材料选择
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L51-00 使用有机材料作有源部分或使用有机材料与其他材料的组合作有源部分的固态器件；专门适用于制造或处理这些器件或其部件的工艺方法或设备
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