[实用新型]一种硅基三维异构集成的射频微系统

摘要

本实用新型公开了一种硅基三维异构集成的射频微系统。本实用新型中的系统包括第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层、第四硅衬底层、射频功放芯片、射频低噪放芯片、射频滤波器和射频开关，硅衬底层均为高阻硅晶圆，射频芯片和器件为采用不同衬底材料不同工艺制成；其中，把射频芯片和器件微组装在第一硅衬底层、第三硅衬底层内预先蚀刻好的腔体中，且第一硅衬底层、第二硅衬底层、第三硅衬底层和第四硅衬底层做低温晶圆级键合堆叠在一起，并通过硅通孔垂直互连，形成三维异构集成的射频微系统。本实用新型将异构射频芯片和器件进行三维集成，从而减小射频系统的体积，提高射频系统的封装密度，降低互连线的传输损耗，增强射频系统的性能。

主权项

1.一种硅基三维异构集成的射频微系统，其特征在于，包括：第一硅衬底层（101）、第二硅衬底层（102）、第三硅衬底层（103）、第四硅衬底层（104）、射频功放芯片（01）、射频低噪放芯片（02）、射频滤波器（03）和射频开关（04）；第一硅衬底层（101）和第三硅衬底层（103）的正面，第二硅衬底层（102）和第四硅衬底层（104）的背面，均蚀刻有腔体（05）；第一硅衬底层（101）、第二硅衬底层（102）、第三硅衬底层（103）和第四硅衬底层（104），均设有第一硅通孔（06）；第一硅衬底层（101）、第二硅衬底层（102）、第三硅衬底层（103）和第四硅衬底层（104），正面和背面均设有互连线（07）；其中：射频功放芯片（01）、射频滤波器（03）和射频开关（04）位于第一硅衬底层（101）的腔体（05）中，射频低噪放芯片（02）和射频滤波器（03）位于第三硅衬底层（103）的腔体（05）中，所述射频功放芯片（01）、射频低噪放芯片（02）、射频滤波器（03）和射频开关（04）均通过引线（08）与硅衬底层上的互连线（07）连接；第一硅衬底层（101）、第二硅衬底层（102）、第三硅衬底层（103）和第四硅衬底层（104）堆叠连接形成三维集成；第一硅衬底层（101）的背面设有用于与其它基板连接的焊接金属球（09）。