[发明专利]一种FDSOI可控硅静电保护器件有效
| 申请号： | 201811570471.0 | 申请日： | 2018-12-21 |
| 公开（公告）号： | CN109742070B | 公开（公告）日： | 2021-07-30 |
| 发明（设计）人： | 丁玎;谢峰;何峰;曾庆平 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第四十八研究所 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02 |
| 代理公司： | 湖南兆弘专利事务所(普通合伙) 43008 | 代理人： | 周长清 |
| 地址： | 410111 湖南*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种内嵌GGNMOS和GDPMOS的FDSOI可控硅静电保护器件，包括N阱和P阱，N阱和P阱邻接，N阱内设有第一P+注入区，P阱内设有第一N+注入区，N阱与P阱的交界处嵌设有第二P+注入区和第二N+注入区。基于FDSOI的全介质隔离特点，本发明将GGNMOS与GDPMOS内嵌到SCR路径上，从而提高其静电放电效率，而且具有低触发电压、高维持电压、结构简单、易于集成等优点，适用于FDSOI器件及电路的静电保护。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 fdsoi 可控硅 静电 保护 器件 | ||
【主权项】：
1.一种FDSOI可控硅静电保护器件，其特征在于，包括N阱(11)和P阱(12)，所述N阱(11)和P阱(12)邻接，所述N阱(11)内设有第一P+注入区(13)，所述P阱(12)内设有第一N+注入区(15)，所述N阱(11)与P阱(12)的交界处嵌设有第二P+注入区(17)和第二N+注入区(18)。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
