[发明专利]包括不同类型的存储单元的半导体器件在审
| 申请号： | 201811541111.8 | 申请日： | 2018-12-17 |
| 公开（公告）号： | CN110190056A | 公开（公告）日： | 2019-08-30 |
| 发明（设计）人： | 田昌勋;申有哲;林浚熙;白圣权;李赞镐;张源哲;黄善劲 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/105 | 分类号： | H01L27/105 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 翟然 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 韩国;KR |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体器件包括具有易失性存储区和非易失性存储区的基板。易失性存储区包括设置在基板中的单元电容器和连接到单元电容器的单元晶体管。非易失性存储区包括设置在基板上的多个非易失性存储单元。易失性存储区和非易失性存储区被并排设置。 | ||
| 搜索关键词： | 非易失性存储区 易失性存储 基板 半导体器件 单元电容器 非易失性存储单元 单元晶体管 并排设置 存储单元 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括具有易失性存储区和非易失性存储区的基板，其中所述易失性存储区包括：单元电容器，在所述基板中；和单元晶体管，连接到所述单元电容器，其中所述非易失性存储区具有在所述基板上的多个非易失性存储单元，并且其中所述易失性存储区和所述非易失性存储区是并排的。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星电子株式会社，未经三星电子株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811541111.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
