[发明专利]一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池及其制备方法在审
| 申请号： | 201811525727.6 | 申请日： | 2018-12-13 |
| 公开（公告）号： | CN109768112A | 公开（公告）日： | 2019-05-17 |
| 发明（设计）人： | 张曙光;温雷 | 申请（专利权）人： | 华南理工大学 |
| 主分类号： | H01L31/072 | 分类号： | H01L31/072;H01L31/18;H01L31/032;H01L31/0224;H01L31/0216;B82Y20/00 |
| 代理公司： | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人： | 王东东 |
| 地址： | 510640 广*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池，由下至上依次包括底部金电极，p型磷化铟衬底，n型层状二硫化钼，Au纳米颗粒，Al顶电极。本发明还公开了一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池的制备方法。本发明制备的p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池，通过在二硫化钼表面覆盖一层Au纳米颗粒，一方面可以提高电池的光吸收，同时利用Au表面等离激元的局域电场提高电子‑空穴对的分离效率。因此该p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池不仅制备工艺简单，工艺成本较低，而且光电转换效率高，是一种制备新型异质结太阳电池的有效方法。 | ||
| 搜索关键词： | 二硫化钼 异质结太阳电池 磷化铟 等离激元 制备 光电转换效率 空穴 表面覆盖 分离效率 工艺成本 制备工艺 电场 顶电极 光吸收 金电极 衬底 电池 | ||
【主权项】：
1.一种等离激元增强p型磷化铟/n型二硫化钼异质结太阳电池，其特征在于，由下至上依次包括底部金电极，p型磷化铟衬底，n型层状二硫化钼，Au纳米颗粒，Al顶电极。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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