[发明专利]磁性隧穿结器件及其制作方法在审
| 申请号： | 201811495874.3 | 申请日： | 2018-12-07 |
| 公开（公告）号： | CN111293216A | 公开（公告）日： | 2020-06-16 |
| 发明（设计）人： | 刘强;俞文杰;陈治西;刘晨鹤;任青华;赵兰天;王曦 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | H01L43/12 | 分类号： | H01L43/12;H01L27/22;C23C16/455 |
| 代理公司： | 上海光华专利事务所(普通合伙) 31219 | 代理人： | 罗泳文 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种磁性隧穿结器件及其制作方法，该器件包括：第一金属连接层，形成于一CMOS电路基底上，且与MOS管的漏极连接；第一金属过渡层，形成于第一金属连接层上；固定磁层，形成于第一金属过渡层上；隧穿层，形成于固定磁层；自由磁层，形成于隧穿层上；第二金属过渡层，形成于自由磁层上；第二金属连接层，形成于第二金属过渡层上。本发明在制作完隧穿层之后，采用原子层沉积工艺、化学气相沉积工艺或薄膜剥离‑转移工艺制作自由磁层，相比于溅射工艺来说，可以避免隧穿层不被溅射粒子损伤，提高隧穿层的质量。本发明可以将磁性隧穿结器件直接制备于传统的硅基CMOS电路上，也可制备在柔性衬底电路上，减小了器件制备成本，扩大了其应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 磁性 隧穿结 器件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
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