[发明专利]一种半导体场效应管在审
| 申请号： | 201811461251.4 | 申请日： | 2018-12-02 |
| 公开（公告）号： | CN109545857A | 公开（公告）日： | 2019-03-29 |
| 发明（设计）人： | 洪越 | 申请（专利权）人： | 仪征市坤翎铝业有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/417;H01L29/423 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 211400 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体场效应管，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底底面设置有第一铝电极，所述第一铝电极上设置有B型衬底引线，所述P型硅衬底上表面两端设置有对称N型区，所述对称N型区上方分别设置有第二铝电极、第三铝电极，所述第二铝电极上设置有源极，所述第三铝电极上设置有漏极，所述第二铝电极与第三铝电极之间设置有SiO2绝缘层，所述SiO2绝缘层上设置有第四铝电极，所述第四铝电极上设置有栅极。本发明结构简单、温度特性好、噪音低、抗辐射性能力强。 | ||
| 搜索关键词： | 铝电极 半导体场效应管 衬底 对称 衬底上表面 衬底底面 抗辐射性 两端设置 温度特性 能力强 漏极 源极 噪音 | ||
【主权项】：
1.一种半导体场效应管，其特征在于，包括P型硅衬底，所述P型硅衬底底面设置有第一铝电极，所述第一铝电极上设置有B型衬底引线，所述P型硅衬底上表面两端设置有对称N型区，所述对称N型区上方分别设置有第二铝电极、第三铝电极，所述第二铝电极上设置有源极，所述第三铝电极上设置有漏极，所述第二铝电极与第三铝电极之间设置有SiO2绝缘层，所述SiO2绝缘层上设置有第四铝电极，所述第四铝电极上设置有栅极。
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