[发明专利]半导体器件及其制造方法有效
| 申请号： | 201811364991.6 | 申请日： | 2018-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109786449B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 井上真雄 | 申请（专利权）人： | 瑞萨电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L29/51 | 分类号： | H01L29/51;H01L29/792;H01L21/28;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 李辉 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本公开的实施例涉及半导体器件及其制造方法。改善了存储器元件的半导体器件的性能。在半导体衬底之上，经由用于存储器元件的栅极绝缘膜的整个绝缘膜形成用于存储器元件的栅电极。整个绝缘膜具有第一绝缘膜、在第一绝缘膜之上的第二绝缘膜、在第二绝缘膜之上的第三绝缘膜、在第三绝缘膜之上的第四绝缘膜和在第四绝缘膜之上的第五绝缘膜。第二绝缘膜是具有电荷累积功能的绝缘膜。第一绝缘膜和第三绝缘膜中的每个绝缘膜的带隙大于第二绝缘膜的带隙。第三绝缘膜是包括包含金属元素和氧的高介电常数材料的多晶膜。第五绝缘膜是包括与用于第三绝缘膜的材料相同的材料的多晶膜。第四绝缘膜包括与用于第三绝缘膜的材料不同的材料。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体器件，包括：半导体衬底；形成在所述半导体衬底之上的用于存储器元件的栅极绝缘膜；以及形成在所述栅极绝缘膜之上的用于所述存储器元件的栅电极，其中所述栅极绝缘膜具有第一绝缘膜、在所述第一绝缘膜之上的第二绝缘膜、在所述第二绝缘膜之上的第三绝缘膜、在所述第三绝缘膜之上的第四绝缘膜和在所述第四绝缘膜之上的第五绝缘膜，其中所述第二绝缘膜是具有电荷累积功能的绝缘膜，其中所述第一绝缘膜和所述第三绝缘膜的相应带隙大于所述第二绝缘膜的带隙，其中所述第三绝缘膜是由包含金属元素和氧的高介电常数材料形成的多晶膜，其中所述第五绝缘膜是由与用于所述第三绝缘膜的材料相同的材料形成的多晶膜，并且其中所述第四绝缘膜由与用于所述第三绝缘膜的材料不同的材料形成。
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