[发明专利]基片处理装置、基片处理方法和存储介质在审
| 申请号： | 201811344240.8 | 申请日： | 2018-11-13 |
| 公开（公告）号： | CN109786286A | 公开（公告）日： | 2019-05-21 |
| 发明（设计）人： | 鬼海贵也;大石雄三 | 申请（专利权）人： | 东京毅力科创株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/311 |
| 代理公司： | 北京尚诚知识产权代理有限公司 11322 | 代理人： | 龙淳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种对提高在基片的表面形成的有机覆膜的灰化处理的均匀性有效的基片处理装置，基片处理装置(1)包括：保持晶片(W)并使该晶片旋转的旋转保持部(30)，上述晶片在表面(Wa)具有有机覆膜；向晶片的表面照射有机覆膜的灰化用的光的光照射部(40)；以使气流能够通过晶片与光照射部之间的方式形成含氧气体的气流的气流形成部；照射控制部(114)，其控制光照射部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流的状态下向晶片的表面照射上述光；和旋转控制部(115)，其控制旋转保持部，以使得在气流形成部在晶片与光照射部之间形成上述气流、光照射部向晶片的表面照射上述光的状态下，使晶片旋转。 | ||
| 搜索关键词： | 晶片 光照射部 基片处理装置 气流形成部 表面照射 有机覆膜 晶片旋转 旋转保持部 旋转控制部 表面形成 存储介质 含氧气体 灰化处理 基片处理 控制旋转 均匀性 控制光 照射部 灰化 照射 | ||
【主权项】：
1.一种基片处理装置，其特征在于，包括：保持基片并使该基片旋转的旋转保持部，所述基片在表面具有有机覆膜；向由所述旋转保持部保持的所述基片的表面照射所述有机覆膜的灰化用的光的光照射部；以使气流能够通过由所述旋转保持部保持的所述基片与所述光照射部之间的方式形成含氧气体的气流的气流形成部；照射控制部，其控制光照射部，以使得在所述气流形成部在所述基片与所述光照射部之间形成所述含氧气体的气流的状态下，向该基片的表面照射所述灰化用的光；和旋转控制部，其控制所述旋转保持部，以使得在所述气流形成部在所述基片与所述光照射部之间形成所述含氧气体的气流、所述光照射部向该基片的表面照射所述灰化用的光的状态下，使该基片旋转。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于东京毅力科创株式会社，未经东京毅力科创株式会社许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201811344240.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：基片处理装置、基片处理方法和存储介质
- 下一篇：用于校正基板变形的方法和设备
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
